电阻和温度的关系？
随着温度的升高，金属导体的电阻会增加，反之亦然。当温度下降到特定点时，特定材料的电阻完全消失，并且称为超导现象。
使用电阻温度切换公式，不同温度下的电阻值可以计算为R2 = R1 *（T+T2 ）/（T+T1 ），如公式中所示。
其中，T是抗性温度常数，T1 是绕组温度，T2 是转换温度，R1 是测量电阻值，R2 是转换电阻值。
在纯金属的情况下，根据温度几乎改变时的温度，电阻会增加线性。
公式如下：ρ=ρ0（1 +αt），其中α是电阻温度系数，大多数金属的α值约为0.4 ％。
由于α比金属的线性膨胀系数大得多（当温度升高1 °C时，可以忽略金属的长度，考虑到根据温度根据金属电阻的变化。
系数可能是正或负的，并且可以突然在一定温度下变化，并且在一定的温度下会发生变化。
金属的电阻与金属的电阻及其电阻相关，并且具有电阻，并且具有电阻性，并且具有电阻，并且具有电阻。
根据材料的特征和温度变化的复合物。
为什么半导体温度越高电阻率越小
特异性电阻与半导体材料温度之间的关系是一种复杂但有趣的物理现象。确定这种联系的关键因素是载体浓度的方法和随温度的迁移率变化。
在低温条件下，由于供体或受体杂质的电离变得更加显着，因此载体的浓度呈指数增加。
同时，随着电离杂质的多重影响减弱，活动性也会增加。
因此，在温度升高的环境中，随着温度的升高，特定的电阻将降低。
当温度达到室温时，供体或受体的杂质完全离子化，这意味着载体的浓度不再随温度而变化。
然而，迁移率从晶格的振动和声音散射增强中降低。
因此，在室温下，特异性电阻随温度升高而增加。
在高温条件下，内部兴奋开始起作用，并且培养基的浓度迅速增加。
尽管随着温度的升高，迁移率仍会降低，但这种还原效应不如载体浓度的增加那么强。
因此，在高温度的环境中，特异性电阻随温度升高而降低。
因此，特异性电阻与半导体材料温度之间的关系取决于载体的浓度和迁移率作为温度的变化。
在半导体设备的设计和使用中，这种现象非常重要。
